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    四探針電阻率測試儀

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    品牌: 北廣精儀
    測量范圍: 1×10-6~2×106Ω.cm
    單價: 22000.00元/臺
    起訂: 1 臺
    供貨總量: 10 臺
    發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 10 天內(nèi)發(fā)貨
    所在地: 北京 海淀區(qū)
    有效期至: 長期有效
    最后更新: 2025-07-16
    瀏覽次數(shù): 6
    詢價
    公司基本資料信息
     
     
    產(chǎn)品詳細說明
    四探針電阻率測試儀適用范圍四端測試法是目前較先進之測試方法,主要針對高精度要求之產(chǎn)品測試;本儀器廣泛用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門,是檢驗和分析導體材料和半導體材料質(zhì)量的一種重要的工具。
    本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料之電導率。液晶顯示,無需人工計算,并帶有溫度補償功能,電導率單位自動選擇,BEST-300C 材料電導率測試儀自動測量并根據(jù)測試結果自動轉(zhuǎn)換量程,無需人工多次和重復設置。選配:配備軟件可以由電腦操控,并保存和打印數(shù)據(jù),自動生成圖表和報表。
    本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示,同時顯示電阻值、電阻率、方阻、電導率值、溫度、壓強值、單位自動換算,配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測試項目要求選購.
    提供中文或英文兩種語言操作界面選擇,滿足國內(nèi)及國外客戶需求
    四探針電阻率測試儀電阻測量范圍:
    電阻率: 1×10-6~2×106Ω.cm、
    電阻:1×10-5~2×105Ω
    電導率:5×10-6~1×108ms/cm
    分辨率:  *小1μΩ
    測量誤差±5%
    測量電壓量程:?2mV?  20mV? 200mV?2V?
    測量精度±(0.1%讀數(shù))
    分辨率:  0.1uV  1uV  10uV  100uV
    電流輸出:直流電流?0~1000mA?連續(xù)可調(diào),由交流電源供電。
    量程:1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,1000mA,?
    誤差:±0.2%讀數(shù)±2字
    主機外形尺寸:330mm*340mm*120mm
    顯示方式:液晶顯示
    電源:220±10% 50HZ/60HZ 
    標配:測試平臺一套、主機一套、電源線數(shù)據(jù)線一套。

    GB/T 14141-2009 硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定.直排四探針法
    GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
    GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法
    GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測定 直流兩探針法
    GB/T 6617-1995 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
    國際標準分類中,四探針法涉及到半導體材料、金屬材料試驗、絕緣流體、獸醫(yī)學、復合增強材料、電工器件、無損檢測、集成電路、微電子學、土質(zhì)、土壤學、水質(zhì)、電子顯示器件、有色金屬。

    在中國標準分類中,四探針法涉及到半金屬與半導體材料綜合、金屬物理性能試驗方法、、、電工合金零件、特種陶瓷、質(zhì)譜儀、液譜儀、能譜儀及其聯(lián)用裝置、電阻器、半導體集成電路、工程地質(zhì)、水文地質(zhì)勘察與巖土工程、水環(huán)境有毒害物質(zhì)分析方法、電工材料和通用零件綜合、半金屬、元素半導體材料、金屬無損檢驗方法。
    范圍本標準規(guī)定了用直排四探針測量硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的方法。
    本標準適用于測量直徑大于15.9mm的由外延、擴散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2 μm的薄層,方塊電阻的測量范圍為10A~5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測量,但其測量精確度尚未評估。
    下列文件中的條款通過本標準的引用商成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標準,然而,鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的**版本。凡是不注日期的引用文件,其**版本適用于本標準。 GB/T 1552 硅、儲單晶電阻率測定 直排四探針法
     
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