碳化硅肖特基二極管T0-263單芯 1200V現(xiàn)貨

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碳化硅肖特基二極管

TO-247雙芯  650V
T0-3P內(nèi)絕緣 雙芯  650V
T0-247-2L單芯  650V
T0-247雙芯  650V
T0-247單芯  650V
T0-220單芯 1200V
T0-252單芯 1200V
T0-263單芯 1200V
T0-220單芯 1200V
T0-247-2L單芯  1200V
T0-247雙芯  1200V

新一代SiC肖特基二極管融合了普通SiC肖特基二極管和雙極pn結(jié)構(gòu)，從而具有非常高的浪涌電流承受能力和穩(wěn)定的過(guò)壓特性。

 2.為了設(shè)計(jì)效率和外形尺寸*優(yōu)的CCM PFC，升壓二極管還必須具備以下一些特性：較短的反向恢復(fù)和正向恢復(fù)時(shí)間；*小的儲(chǔ)存電荷Q；低的漏電流和*低的開(kāi)關(guān)損耗。過(guò)壓和浪涌電流能力非常重要，它們能夠用來(lái)處理PFC中由啟動(dòng)和交流回落引起的浪涌和過(guò)電流。這些特性只有用碳化硅肖特基二極管(SiC肖特基二極管)才能實(shí)現(xiàn)。 

3.由于SiC肖特基二極管中缺少正向和反向恢復(fù)電荷，因此可以用更小的升壓MOSFET。這樣做除了成本得到降低外，器件溫度也會(huì)降低，從而使SMPS具有更高的可靠性。 
 
4.由于SiC肖特基二極管的開(kāi)關(guān)行為獨(dú)立于正向電流(Iload)、開(kāi)關(guān)速度(di/dt)和溫度，因此這種二極管在設(shè)計(jì)中很容易使用。在設(shè)計(jì)中采用SiC肖特基二極管能夠?qū)崿F(xiàn)*大的開(kāi)關(guān)工作頻率(*高可達(dá)1MHz)，從而可以使用更小體積的無(wú)源器件。    *低的開(kāi)關(guān)損耗和低的Vf能使用更小的散熱器或風(fēng)扇。另外，由于具有正的溫度系數(shù)，SiC肖特基二極管能夠非常方便地并行放置。   

5.改進(jìn)的浪涌電流能力  提供改進(jìn)的浪涌電流功能，允許針對(duì)應(yīng)用中的平均電流條件進(jìn)行設(shè)計(jì)，也就是說(shuō)，大多數(shù)的啟動(dòng)和AC回落引起的浪涌和過(guò)流能很好地獲得處理。在正常工作狀態(tài)，的行為與具有零反向恢復(fù)電荷的普通肖特基二極管沒(méi)什么兩樣，在大電流狀態(tài)其正向特性如同雙極pn二極管一樣，能夠顯著減少功率損耗。    由于改進(jìn)的浪涌電流能力使得在指定應(yīng)用中采用更低標(biāo)稱電流的二極管進(jìn)行設(shè)計(jì)成為可能。到目前為止，二極管的浪涌電流額定值仍是重要的設(shè)計(jì)考慮因素。  對(duì)實(shí)際應(yīng)用(6A IFX**代SiC肖特基二極管、PFC、寬范圍)進(jìn)行的測(cè)試證實(shí)了這些改進(jìn)：
6A**代SiC肖特基二極管足以用來(lái)處理啟動(dòng)時(shí)的浪涌電流，結(jié)溫會(huì)升高到50℃。這種情況非常接近由于肖特基特性而引起的熱失控，在通常情況下可以使用更小體積的二極管。


肖特基二極管主要優(yōu)點(diǎn)：
1、正向壓降低，約只有一般硅二極管的一半。在下向?qū)〞r(shí)由于正向電壓低消耗的二極管上的功耗也小。
2、反向恢復(fù)時(shí)間小，比超快速恢復(fù)管還要小得多。在高頻電路中除了正向?qū)ü耐膺€有較大的功耗就是開(kāi)關(guān)功耗，反向恢復(fù)時(shí)間越小開(kāi)關(guān)功耗也就越小。

普通硅二極管的耐壓可以做得較高，但是它的恢復(fù)速度低，只能用在低頻的整流上，如果是高頻的就會(huì)因?yàn)闊o(wú)法快速恢復(fù)而發(fā)生反向漏電，*后導(dǎo)致管子嚴(yán)重發(fā)熱燒毀。

肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復(fù)速度快，可以用在高頻場(chǎng)合，故開(kāi)關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開(kāi)關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的。

肖特基二極管與普通二極管的區(qū)別：

硅管的初始導(dǎo)通壓降是0.5V左右，正常導(dǎo)通壓降是0.7V左右，在接近極限電流情況下導(dǎo)通壓降是1V左右；

鍺管的初始導(dǎo)通壓降是0.2V左右，正常導(dǎo)通壓降是0.3V左右，在接近極限電流情況下導(dǎo)通壓降是0.4V左右，

肖特基二極管的初始導(dǎo)通壓降是0.4V左右，正常導(dǎo)通壓降是0.5V左右，在接近極限電流情況下導(dǎo)通壓降是0.8V左右。

兩種二極管都是單向?qū)щ姡捎糜谡鲌?chǎng)合。區(qū)別是普通硅二極管的耐壓可以做得較高，但是它的恢復(fù)速度低，只能用在低頻的整流上，如果是高頻的就會(huì)因?yàn)闊o(wú)法快速恢復(fù)而發(fā)生反向漏電，*后導(dǎo)致管子嚴(yán)重發(fā)熱燒毀;肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復(fù)速度快，可以用在高頻場(chǎng)合，故開(kāi)關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開(kāi)關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的。

快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管(5us以下)，工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V)，反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng)，后者則在100納秒以下。 肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管，簡(jiǎn)稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)，具有正向壓降低(0.4--0.5V)、反向恢復(fù)時(shí)間很短(10-40納秒)，而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場(chǎng)合。 這兩種管子通常用于開(kāi)關(guān)電源。 肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別：前者的恢復(fù)時(shí)間比后者小一百倍左右，前者的反向恢復(fù)時(shí)間大約為幾納秒~! 前者的優(yōu)點(diǎn)還有低功耗，大電流，超高速~!電氣特性當(dāng)然都是二極管阿~!快恢復(fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開(kāi)關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件。


肖特基二極管是利用金屬-半導(dǎo)體接面作為肖特基勢(shì)壘，以產(chǎn)生整流的效果，和一般二極管中由半導(dǎo)體-半導(dǎo)體接面產(chǎn)生的P-N接面不同。肖特基勢(shì)壘的特性使得肖特基二極管的導(dǎo)通電壓降較低，而且可以提高切換的速度。

肖特基二極體的導(dǎo)通電壓非常低。一般的二極管在電流流過(guò)時(shí)，會(huì)產(chǎn)生約0.7-1.7伏特的電壓降，不過(guò)肖特基二極管的電壓降只有0.15-0.45伏特，因此可以提升系統(tǒng)的效率。

肖特基二極管和一般整流二極管*大的差異在于反向恢復(fù)時(shí)間，也就是二極管由流過(guò)正向電流的導(dǎo)通狀態(tài)，切換到不導(dǎo)通狀態(tài)所需的時(shí)間。一般整流二極管的反向恢復(fù)時(shí)間大約是數(shù)百nS，若是高速二極管則會(huì)低于一百nS，肖特基二極管沒(méi)有反向恢復(fù)時(shí)間，因此小信號(hào)的肖特基二極管切換時(shí)間約為數(shù)十pS，特殊的大容量肖特基二極管切換時(shí)間也才數(shù)十pS。由于一般整流二極管在反向恢復(fù)時(shí)間內(nèi)會(huì)因反向電流而造成EMI噪聲。肖特基二極管可以立即切換，沒(méi)有反向恢復(fù)時(shí)間及反相電流的問(wèn)題。